特許
J-GLOBAL ID：200903048548417862
多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148746
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】内蔵されるコンデンサ部の高誘電率化に対して、コンデンサ部の剥がれや基板の割れが発生しやすく、また耐電圧が低く、信頼性が不十分であった。【解決手段】比誘電率が14以下のAl2 O3 を主成分とする絶縁層2間および/または表面にメタライズ配線層7が配設された絶縁基板の内部または表面に、ZrO2 -W,Mo-Al2 O3 系の比誘電率が20以上の高誘電体層3を一対の電極層4、5により挟持してなるコンデンサ部6を積層したものであって、且つ高誘電体層3と絶縁層2間の室温から400°Cにおける熱膨張係数の差を1.5×10-6/°C以下に制御する。
請求項（抜粋）：
比誘電率が14以下の絶縁層と、メタライズ配線層とからなる絶縁基板の内部または表面に、比誘電率が20以上の高誘電体層と、一対の電極層とからなるコンデンサ部を積層してなり、且つ前記高誘電体層と前記絶縁層との室温から400°Cにおける熱膨張係数の差が1.5×10-6/°C以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 23/08
, H01L 23/15
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
, H01L 23/08 C
, H01L 23/14 C
