陽極酸化装置、陽極酸化方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342803
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147599
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】被処理基板の被処理部への光の照射を均一になし、これにより陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能な陽極酸化装置および陽極酸化方法を提供すること。【解決手段】光を放射するランプと、放射された光が到達する位置に設けられ、被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、放射された光が被処理基板に到達する途上に設けられ、光を通過させるための開口部を備え光を透過しない導体部を有するカソード電極と、カソード電極、前記ランプ、または被処理基板保持部の空間的位置を周期的振動させる振動機構とを具備する。ランプ、カソード電極、被処理基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置関係を維持したまま、これらのうちの少なくとも一つについてその空間的位置を周期的振動させ、これにより、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散する。

請求項（抜粋）：

光を放射するランプと、前記放射された光が到達する位置に設けられ、被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、前記放射された光が前記保持された被処理基板に到達する途上に設けられ、前記光を通過させるための開口部を備え前記光を透過しない導体部を有するカソード電極と、前記カソード電極、前記ランプ、または前記被処理基板保持部の空間的位置を周期的振動させる振動機構とを具備することを特徴とする陽極酸化装置。

IPC (3件)：

C25F 3/12 , C25F 7/00 , H01L 21/306

FI (3件)：

C25F 3/12 , C25F 7/00 L , H01L 21/306 J

Fターム (4件)：

5F043AA10 , 5F043BB03 , 5F043DD08 , 5F043DD10

引用特許：

審査官引用 (5件)

多孔性シリコン膜およびデバイスを作成するための浸漬走査方法およびシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-046582 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
多孔質シリコンの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-264861 出願人：住友金属工業株式会社
薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-052903 出願人：科学技術振興事業団

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