半導体発光素子のマウント方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田稔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142736
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子の被マウント部材に対するワイヤボンディングの個数を削減して、その結線作業を簡便に行えるようにする。【解決手段】半導体発光素子1の被マウント部材16へのマウント方法であって、上記半導体発光素子1は、透明の絶縁性基板3の表面上に各半導体層4,5,6を形成しかつ各層の所定箇所にN側電極9およびP側電極10を形成して構成される素子本体2と、導電性基板12の表面に対して絶縁状態となるように形成された補助N側電極層15および導通状態となるように形成された補助P側電極層14を有するサブマウント部材11と、を備えるとともに、上記サブマウント部材11と上記素子本体2とが、上記サブマウント部材11と上記素子本体2との双方の表面側を相互に対向させるとともに、上記補助N側電極層15と上記N側電極9との間および上記補助P側電極層14と上記P側電極10との間がそれぞれ導通状態となるように一体化させられて構成されており、上記のように構成された半導体発光素子1を被マウント部材16にマウントする。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子の被マウント部材へのマウント方法であって、上記半導体発光素子は、透明の絶縁性基板の表面上にN型半導体層、発光層、およびP型半導体層を形成し、かつ上記P型半導体層の表面にP側電極が形成され、上記N型半導体層における露出表面部にN側電極を形成して構成される素子本体と、導電性基板の表面に対して絶縁状態となるように形成された補助N側電極層および導通状態となるように形成された補助P側電極層を有するサブマウント部材と、を備えるとともに、上記サブマウント部材と上記素子本体とが、上記サブマウント部材と上記素子本体との双方の表面側を相互に対向させるとともに、上記補助N側電極層と上記N側電極との間および上記補助P側電極層と上記P側電極との間がそれぞれ導通状態となるように一体化させられて構成されており、上記のように構成された半導体発光素子を被マウント部材にマウントすることを特徴とする、半導体発光素子のマウント方法。

Fターム (17件)：

5F041AA04 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DA19 , 5F041DA32 , 5F041DA39

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336011 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (7件)

特開昭58-070584
青色発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-351947 出願人：日亜化学工業株式会社
青色LED素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-351948 出願人：日亜化学工業株式会社

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