特許
J-GLOBAL ID:200903048602908753

シクロヘキサ-3-エン-1-オール誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 勝利
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-098177
公開番号(公開出願番号):特開2002-293753
出願日: 2001年03月30日
公開日(公表日): 2002年10月09日
要約:
【要約】【課題】 電子材料、医農薬、香料、添加物、液晶性化合物あるいはこれらの中間体等に有用な、1-置換-シクロヘキサ-3-エン-1-オール誘導体の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 シクロヘキサ-3-エン-1-オン誘導体に、亜鉛存在下、ハロゲン化アリル誘導体を反応させることを特徴とする、1-置換-シクロヘキサ-3-エン-1-オール誘導体の製造方法。
請求項(抜粋):
一般式(1)【化1】(式中Z1及びZ2はそれぞれ独立的に任意の置換基を表す。)で表されるシクロヘキサ-3-エン-1-オン誘導体に、亜鉛存在下にハロゲン化アリル誘導体を反応させることを特徴とする、1-置換-シクロヘキサ-3-エン-1-オール誘導体の製造方法。
IPC (3件):
C07C 29/40 ,  C07C 35/52 ,  C07B 61/00 300
FI (3件):
C07C 29/40 ,  C07C 35/52 ,  C07B 61/00 300
Fターム (14件):
4H006AA02 ,  4H006AC22 ,  4H006AC41 ,  4H006AD41 ,  4H006BA07 ,  4H006BA44 ,  4H006BA53 ,  4H006BB15 ,  4H006FC56 ,  4H006FC74 ,  4H006FE73 ,  4H006FE74 ,  4H039CA60 ,  4H039CF30
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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