薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078185
公開番号（公開出願番号）：特開2008-240008
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】電気的手法によって高い成長速度で薄膜を形成することが可能な薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】ターゲット22を保持するターゲット保持部21が導電性材料からなることとしたので、電子線をターゲット22に照射し続けてもターゲット保持部21がチャージアップすることが無い。このため、ターゲット22に電子線を照射した状態で時間が経過しても、当該電子線がターゲット22に到達しにくくなることは無いので、成長速度の低下を回避することができる。これにより、高い成長速度で薄膜を形成することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属を含むターゲットを電気的手法で蒸発させて対象物上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記ターゲットを保持するターゲット保持部を有し、前記ターゲット保持部が導電性材料からなることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (1件)：

C23C 14/24

FI (1件)：

C23C14/24 A

Fターム (13件)：

4K029AA04 , 4K029AA07 , 4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029CA06 , 4K029DB13 , 4K029DB18 , 4K029DB22 , 4K029DB23 , 4K029DC23 , 4K029DC34 , 4K029JA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭54-025282
蒸発源
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-029514 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-068470

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審査官引用 (4件)

特開昭54-025282
蒸発源
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-029514 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-068470

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