特許
J-GLOBAL ID：200903048618509069

半導体装置

発明者：
小原 伸治

小原 伸治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223272
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、製造時のヒューズ上層間絶縁膜厚のばらつきに左右されることなく、安定したヒューズ切断を行うことができる半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体基板10上に形成したヒューズ2にレーザー光を照射することによってヒューズ2切断を行う半導体装置であって、ヒューズ2上に形成した層間絶縁膜の膜厚は、ヒューズ2上で一定の膜厚ではなく、ヒューズ2上に照射される切断用のレーザー光の照射スポット21内強度分布に応じて薄い領域から厚い領域へ徐々に推移している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成したヒューズにレーザー光を照射することによってヒューズ切断を行う半導体装置であって、前記ヒューズ上に形成した層間絶縁膜の膜厚は、前記ヒューズ上で一定の膜厚ではなく、前記ヒューズ上に照射される切断用のレーザー光の照射スポット内強度分布に応じて薄い領域から厚い領域へ徐々に推移していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/82 ,  B23K 26/00 320 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 481 ,  B23K101:40
FI (6件)：
B23K 26/00 320 E ,  H01L 27/10 481 ,  B23K101:40 ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 R ,  H01L 21/88 Z
Fターム (16件)：
4E068AE00 ,  4E068DA11 ,  5F033HH08 ,  5F033KK33 ,  5F033RR04 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033UU04 ,  5F033VV11 ,  5F033XX35 ,  5F064EE22 ,  5F064FF27 ,  5F064FF33 ,  5F064FF42 ,  5F083GA27 ,  5F083ZA10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-333891   出願人：株式会社東芝
  • 特開平2-244740
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-333891   出願人：株式会社東芝
  • 特開平2-244740

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