特許

J-GLOBAL ID：200903048642619746

半導体装置

発明者： 大倉 康嗣
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085504
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296663
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】低サージ電圧と、高放熱性とを両立した半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体パッケージ100は、1対の板状の半導体スイッチング素子1,2と、中点電極をなす中継部材4と、半導体スイッチング素子1,2の各々に対し、中継部材4とは反対側に配置された放熱部材3,5と、モールド樹脂部15とを備える。中継部材4は、半導体スイッチング素子1,2の各々に直接または間接接合された素子搭載部41と、素子搭載部41に隣接して設けられた放熱部42,42とを備えており、その断面は、H形状を呈する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

厚さ方向に互いにずれて平行配置された、1対の板状の半導体スイッチング素子と、それら半導体スイッチング素子の中点電極をなす中継部材と、前記半導体スイッチング素子の各々に対し、前記中継部材とは反対側に配置された放熱部材と、それら放熱部材と前記中継部材との間を充填するモールド樹脂部とを備え、 前記半導体スイッチング素子の厚さ方向を上下方向としたとき、 前記中継部材は、上下に配置された前記半導体スイッチング素子の各々に直接または間接接合された素子搭載部と、該素子搭載部に隣接して設けられ、前記上下方向に関して前記素子搭載部よりも厚肉に形成された放熱部と、を含んでなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/28 B ,  H01L29/78 652Q

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DB02 ,  4M109GA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210475   出願人：株式会社東芝