特許
J-GLOBAL ID:200903056553053944
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-210475
公開番号(公開出願番号):特開2002-026251
出願日: 2000年07月11日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 IGBTモジュール等の大電力用半導体装置において、ボンディングワイヤ等の配線金属に起因する配線抵抗および自己インダクタンスを低減する。【解決手段】 少なくとも3つ以上の互いに相重なった電力端子(3、4、8)を有し、電力端子のうちの所定の2つの電力端子間に少なくとも一つの半導体チップ(2,5)が挟まれる形で電気的に接続されている半導体装置である。そして、上記相重なった電力端子のうち一方の端にある電力端子(3)と、相重なった電力端子のうち他方の端にある電力端子(4)は同一方向に引き出されている。
請求項(抜粋):
少なくとも3つ以上の互いに相重なった電力端子を有し、前記電力端子のうちの所定の2つの電力端子間に少なくとも一つの半導体チップが挟まれる形で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/16
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L 25/16 A
, H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
圧接型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-232945
出願人:株式会社東芝
-
特開平4-293261
前のページに戻る