特許
J-GLOBAL ID：200903048655388085

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
岡 広実

岡 広実 について

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清水 昭貴

清水 昭貴 について

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遠藤 昇佐

遠藤 昇佐 について

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傳寳 一樹

傳寳 一樹 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 別役 重尚 ,  村松 聡 ,  後藤 夏紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-248241
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243138
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】基板上のプラズマの状態を容易に所望の状態に維持することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置10は処理空間Sに突出する先端が半球状の処理ガス導入ノズル38を備え、該処理ガス導入ノズル38は外側構造部52と該外側構造部52に内包される内側構造部53とから成り、外側構造部52は該外側構造部52の先端における半球の中心から放射状に配置されている複数の処理ガス導入孔56を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板を収容する処理室と、該処理室内に配置され且つ前記基板を載置する載置台と、前記処理室内に向けて処理ガスを導入する少なくとも1つの処理ガス導入部とを備え、前記基板にプラズマ処理としてのエッチング処理を施す基板処理装置において、 前記処理ガス導入部は前記処理室内に突出する突起状物であり、互いに異なる方向に向けて開口する複数の処理ガス導入孔を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46 ,  C23F 4/00
FI (4件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/30 572A ,  H05H1/46 M ,  C23F4/00 A
Fターム (21件)：
4K057DB06 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB02 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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