特許
J-GLOBAL ID:200903067771572858
調整可能なマルチゾーンガス噴射システム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 松丸 秀和
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-537097
公開番号(公開出願番号):特表2005-507159
出願日: 2002年10月09日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
半導体ウェハ等の基板のプラズマ処理用のプラズマ処理システムのための調整可能なマルチゾーンガス噴射システム。本システムは、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が晒されるように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器であって、複数のガス排気口を有し、少なくとも前記複数のガス排気口のいくつかの間で独立して変化する流量で処理ガスを供給するガス噴射器と、前記誘電体部材を通してRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、を含む。前記噴射器は、中央領域に第1の流量で処理ガスを供給する軸上排気口(on-axis outlet)と、前記中央領域を取り囲む環状領域に第2の流量で同一の処理ガスを供給する軸外排気口と、を含むことができる。本装置は、前記チャンバ内の複数領域(マルチゾーン)へのガスの流れの独立調整を可能にすることによって、特定の処理方式の要求を満たすためにガス供給の変更を可能にする。さらに、消費可能なシャワーヘッド装置と比較すると、取外し可能に搭載されたガス噴射器は、より簡単で経済的に取り替えることができる。
請求項(抜粋):
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、
前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、
前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、
前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が露出するように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器であって、複数のガス排気口を有し、少なくとも前記複数のガス排気口のいくつかの間で独立して変化する流量で前記プラズマ処理チャンバに処理ガスを供給するガス噴射器と、
前記誘電体部材を通して前記プラズマ処理チャンバにRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理システム。
IPC (7件):
H01L21/3065
, C23C16/455
, C23C16/507
, C23F4/00
, H01J37/32
, H01L21/205
, H05H1/46
FI (7件):
H01L21/302 101G
, C23C16/455
, C23C16/507
, C23F4/00 A
, H01J37/32
, H01L21/205
, H05H1/46 L
Fターム (43件):
4K030EA06
, 4K030FA04
, 4K030KA46
, 4K057DA11
, 4K057DB05
, 4K057DB06
, 4K057DD01
, 4K057DE01
, 4K057DE06
, 4K057DE11
, 4K057DG13
, 4K057DM28
, 4K057DM31
, 4K057DM35
, 4K057DM37
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BC03
, 5F004BD02
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB09
, 5F004DB26
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045EE20
, 5F045EF02
, 5F045EF03
, 5F045EF08
, 5F045EF09
, 5F045EH11
引用特許: