特許

J-GLOBAL ID：200903048657857856

反射型液晶表示素子

発明者： 岐津 裕子 ,  上浦 紀彦 ,  川田 靖
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060956
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258264
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、光利用効率を極限まで高めながら同時に駆動用TFTの誤動作が起こらないアクティブマトリクス駆動による反射型液晶表示素子を提供することを目的とする。【解決手段】電極層をそれぞれ有する一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記電極層が対向するようにして配置した前記一対の基板間に挟持された液晶層とを具備し、前記薄膜トランジスタは、前記一方の基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極で形成されるチャネル領域の上方に配置されたゲート電極とを含み、前記チャネル領域から前記ゲート電極の直上の電極層までの間隔が2μm以下であり、かつ10V以上の駆動電圧により駆動することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

電極層をそれぞれ有する一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記電極層が対向するようにして配置した前記一対の基板間に挟持された液晶層とを具備し、前記薄膜トランジスタは、前記一方の基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極の間に形成される半導体層の上方に配置されたゲート電極とを含み、前記半導体層から前記ゲート電極の直上の電極層までの間隔が3μm以下であり、かつ10V以上の駆動電圧により駆動することを特徴とする反射型液晶表示素子。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-150532
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-114449   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-264995   出願人：ソニー株式会社