半導体装置実装基板およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267019
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115955
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】半導体装置を回路基板に実装する方法において、半導体装置と回路基板との熱膨張係数の差に起因する熱ストレスによって接続がはずなれいようにする。接続不良が生じた場合は容易に修復できるようにする。【解決手段】半導体装置1の電極パッド2に突起電極9を形成し、回路基板14に接着シート15を供給する。回路基板14を加熱し接着シート15を軟化させ、半導体装置の導体パターンと回路基板の導体パターンを位置合わせ後、半導体装置1と回路基板14を熱圧着する。このときの温度は、再加熱することで、半導体装置1と回路基板14をはずすことができる温度とする。熱圧着後、半導体装置と回路基板の導通試験を行い、導通が得られていれば、熱圧着により半導体装置と回路基板の固着する。導通不良なら再加熱して半導体装置を回路基板から剥離する。

請求項（抜粋）：

半導体装置または回路基板の一方に突起電極を他方に電極を形成する工程と、前記半導体装置または前記回路基板の一方の面に絶縁性接着剤を塗布する工程と、前記突起電極と前記電極とを位置合わせし、前記半導体装置と前記回路基板とを前記絶縁性接着剤を半硬化させる温度で仮に熱圧着する工程とを含む半導体装置実装基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-062946
特開平4-273131
特開平4-139843

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