特許

J-GLOBAL ID：200903048709124410

不純物濃度の測定方法

発明者： 国宗 依信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058609
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 測定対象となる試料の不純物層におけるキャリア濃度を高精度にかつ再現性良く、しかも2次元分布を測定することが可能な測定方法を提供する。【解決手段】 測定対象となる不純物層を含み、かつ前記不純物層の表面を平坦化した試料10を作成し、この試料10に電圧を印加して前記不純物層に空乏層を生成し、この空乏層を生成した状態で試料10をフッ硝酸系のエッチング液31に浸し、前記不純物層中の空乏層の領域と他の領域との間に段差が生じるまでエッチングを行ない、前記エッチングにより生成された段差の2次元分布を観察、測定する。不純物層中に生成される空乏層によってエッチングの進行が抑制されるため、エッチング後の不純物層には空乏層に沿った段差が生成される。この段差を測定することにより、試料に印加する電圧と不純物濃度との相関によって決定される空乏層の境界が測定でき、当該空乏層及びこれに接する領域の不純物濃度を測定し、かつその2次元分布の測定が可能となる。

請求項（抜粋）：

測定対象となる不純物層を含み、かつ前記不純物層の表面を平坦化した試料を作成する工程と、前記試料に電圧を印加して前記不純物層に空乏層を生成する工程と、前記空乏層を生成した状態で前記試料をフッ硝酸系のエッチング液に浸し、前記不純物層中の空乏層の領域と他の領域との間に段差が生じるまでエッチングを行う工程と、前記エッチングにより生成された段差の2次元分布を観察、測定する工程とを含むことを特徴とする不純物濃度の測定方法。

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA12 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CA51 ,  4M106CB02 ,  4M106DH08 ,  4M106DH11 ,  4M106DH55

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-111337
  
• 半導体デバイスの不純物濃度分布の分析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-296757   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-233951