ガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109817
公開番号（公開出願番号）：特開2003-013208
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】室温において基板表面を損傷することなく、より高品質の薄膜を形成するガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターのイオンを基板表面に照射して基板と反応させ、基板表面に反応薄膜を形成することを特徴とするガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法。

Fターム (4件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA46 , 4K029CA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-354865
酸素イオン注入装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-101609 出願人：財団法人ファインセラミックスセンター
特開昭57-024631

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