特許

J-GLOBAL ID：200903048746039997

狭い横方向寸法の微細構造およびその作製方法

発明者： ジョン エヌ.ランドール
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045913
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 狭い横方向寸法の微細電子構造を作製する方法を得る。【構成】 未硬化レジスト層(42)が支持層(40)の上に堆積され、パターン化される。次に、低温での等方的なプロセスを用いて、未硬化レジスト層の水平な表面および垂直な壁の上へ、本質的に均等に相似的な層(44)が堆積される。異方性エッチを次に用いて、レジストの垂直な壁から相似層を本質的にエッチングすることなしに、水平な表面から相似層が本質的に除去される。これによって、分離された垂直側壁構造(46)が作られ、これはネガマスクとして利用できる。レジストを除去する代わりに、この構造を平坦化するための別のレジスト層(48)を塗布して、次にエッチバックして、側壁構造を露出させることもできる。この側壁構造を次に、選択的にエッチして、側壁構造の幅の開口を有するレジスト構造(50)をつくることができる。

請求項（抜粋）：

狭い横方向寸法の微細電子構造を作製する方法であって、a.支持層を供給すること、b.前記支持層上へ、有機溶剤に可溶な未硬化(uncure)レジスト層を堆積すること、c.前記レジスト層をパターン化して、水平な表面と垂直な壁とを有する断面形状を形成すること、d.前記水平な表面および前記垂直な壁上へ、第1の温度で相似的な層を堆積することであって、前記相似層が前記垂直な壁の上に予め定められた厚さを有する垂直な側壁を形成するようになっており、前記第1の温度が前記未硬化レジスト層に悪影響を及ぼす第2の温度より低い温度である、堆積工程、e.前記垂直な側壁を本質的にエッチすることなしに、前記水平な表面から前記相似層を除去するために異方性エッチングを施すこと、およびf.前記支持層の上に、前記垂直な側壁の前記厚さによって制御される横方向寸法を有する、前記狭い横方向寸法の構造を作製すること、の工程を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 573

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体量子細線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195483   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭64-035916