半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170620
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037252
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】薄型化/多ピン化/低熱抵抗化された低コスト半導体装置を実現する。【構成】0.3mm厚のガラス布入り高耐熱性エポキシ系樹脂から成る基板1は10mm角に加工され、基板1の片面には、スクリーン印刷法により絶縁性接着剤層2が50μm程度の厚さに形成されて、絶縁性接着剤層2の上には、銅合金製のリードフレーム3が所定位置に精度よく積層された後キュアすることにより接着される。半導体素子4は、基板1上に絶縁性接着剤層5により固着され、半導体素子4上の電極とリードフレーム3のインナーリードは、ワイアボンディングにより、25μmφの金細線6により電気的に接続されている。なお、薄型のパッケージを得るために、ボンダーのボンディングパラメータの設定値の最適化、および金細線6に低ループ・高強度のものを選定することにより、半導体素子4の表面を基準とした金細線6の最大ループ高が180μmに収められている。

請求項（抜粋）：

半導体装置用パッケージにおける半導体素子の搭載部が、少なくとも当該搭載部の表面に絶縁性を有する基板および前記半導体素子を封止する絶縁性の有機樹脂により形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 23/28 , H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-107060
特開昭58-204545
低温紫外線硬化型エポキシ封止を有する半導体デバイスとその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-130804 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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