特許
J-GLOBAL ID：200903048762787693

処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置

発明者：
小川 裕之

小川 裕之 について


出願人/特許権者：
株式会社 液晶先端技術開発センター

株式会社 液晶先端技術開発センター について


代理人 (3件)： 松永 宣行 ,  小合 宗一 ,  佐藤 玲太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113907
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319871
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】活性化された処理ガスによる封止部材の損傷を防止するようにした処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】本発明の処理装置(10)は、ガスを励起して被処理体を処理する気密容器(11)を備え、気密容器を構成する一部の容器壁が、封止部材(16)を介して構成され、封止部材近傍の気密容器内側にガス導入管(15)が設けられている。本発明の処理方法では、気密容器内に被処理体(21)を設け、少なくともこの被処理体を処理している期間中、封止部材(16)の近傍から気密容器内にガスを供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理ガスを励起して被処理体を処理する気密容器と、 この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密容器を構成するようにした処理装置であって、 前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガス導入管を設けたことを特徴とする処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 Z ,  H01L21/302 101G
Fターム (14件)：
4K030FA01 ,  4K030KA10 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC01 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB10 ,  5F045EH03
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 絶縁膜用プラズマ成膜装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-271387   出願人：アネルバ株式会社
  • 熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225071   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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