特許

J-GLOBAL ID：200903089578923671

絶縁膜用プラズマ成膜装置

発明者： 沼沢 陽一郎 ,  長谷川 晋也 ,  塚田 勉 ,  高橋 信行
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271387
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098033
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 誘導結合型プラズマ発生機構を備える絶縁膜用プラズマ成膜装置で、反応容器の側壁部の劣化を防止し、反応容器の安全性を高め、反応容器の上部からシャワー状に反応ガスを導入できるようにする。【解決手段】 基板サセプタ12を備える反応容器 と、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応容器の内部を排気する排気機構24と、プラズマ生成機構を備え、基板13の表面に絶縁膜を形成する成膜装置であり、反応容器は金属材料で形成され、プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイル16を含み、当該コイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体15,17 で囲まれた状態で反応容器の内部に設けられる。

請求項（抜粋）：

基板保持機構を備える反応容器と、この反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、前記反応容器の内部を排気する排気機構と、プラズマ生成機構を備え、前記基板保持機構上に置かれた基板の表面に絶縁膜を形成するプラズマ成膜装置において、前記反応容器は金属材料で形成され、前記プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイルを含み、このコイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体で囲まれた状態で前記反応容器の内部に設けられることを特徴とする絶縁膜用プラズマ成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-069137   出願人：国際電気株式会社
• 減圧CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316454   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭50-046074
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126444   出願人：東京エレクトロン株式会社