特許

J-GLOBAL ID：200903048791625210

反射率スペクトル測定を用いた半導体の非破壊分析

発明者： チャーカスキー アレクサンダー ピー
出願人/特許権者： チャーカスキー アレクサンダー ピー
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-544982
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512441
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】半導体サンプルの問題のパラメータを決定するための方法が提供される。例えば、当該プロセスにおいて半導体サンプルを破壊する必要なく、エピタキシャル層またはイオン注入層の厚さ、遷移層の厚さ、および基板層の自由キャリアの濃度を決定することができる。一実施例において、この方法は、半導体の実験的反射率スペクトルを測定することによって開始される(200)。次いで、フィルム層、遷移層および基板層を有する半導体の分析モデルが構築される(208)。次に、フィルム層、遷移層、および基板層の光学定数nおよびkが、ドーピングレベルの関数として表される(210)。遷移層のプロファイルが決定され(211)、急峻なプロファイルが存在するときは、遷移層は複数の区画を有するように更にモデル化され、ここで各区画にはs-偏光マトリックスおよびp-偏光マトリックスが与えられる。次いで、全体のモデル化された反射率スペクトルが計算され(212)、その中のパラメータを変化させて、実験的反射率スペクトルとの最良の適合関係を達成する(214)。こうして、問題のパラメータを決定することができる(216)。

請求項（抜粋）：

半導体の少なくとも一つのパラメータを決定するための方法であって: 半導体の実験的反射率スペクトルを測定するステップと; フィルム層、遷移層および基板層を有する半導体の分析モデルを構築するステップと; 前記分析モデルの垂直反射率Rsおよび平行反射率Rpをモデル化するステップと; 前記垂直反射率Rsおよび前記平行反射率Rpから、前記分析モデルについて、モデル反射率スペクトルRmodを計算するステップと; 前記モデル反射率スペクトルを調節して、前記実験的反射率スペクトルとの最良適合関係を達成し、調節されたモデル反射率スペクトルを形成するステップと; 前記調節されたモデル反射率スペクトルから、前記少なくとも一つのパラメータを決定するステップとを具備する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/35

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  G01B 11/06 Z ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/35 Z

Fターム (23件)：

2F065AA30 ,  2F065CC17 ,  2F065FF49 ,  2F065LL33 ,  2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059EE12 ,  2G059FF08 ,  2G059GG00 ,  2G059GG04 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ15 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  4M106AA10 ,  4M106CB02 ,  4M106DH13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体のキャリア濃度測定方法、半導体デバイス製造方法及び半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227470   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平1-050936