半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211406
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055832
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】バスバ電極を積層構造とすることにより、バスバ電極を高強度でコンパクトに形成し、寄生インダクタンスを低減できるようにする。【解決手段】複数の高電圧側バスバ電極16、低電圧側バスバ電極17及び絶縁層18を積層して積層バスバ電極15を形成し、これらをパワーモジュール12から電極引出孔3を介してハウジング2の外部に引出す。また、電極引出孔3と被覆材19との間にシール部材20を設ける。これにより、積層バスバ電極15を板ばね状の弾性体として形成でき、電極15に外力が加わる場合でも、この外力を緩衝、吸収して耐久性を高めることができる。また、積層バスバ電極15全体としての電流経路を各バスバ電極16,17によって幅広に形成できるから、これらの寄生インダクタンスを低減でき、インバータ回路13をサージ電圧等から保護することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が搭載された電子回路ユニットと、該電子回路ユニットを外部の電源と接続するバスバ電極とからなる半導体装置において、前記バスバ電極は、導電性材料により板状に形成され前記電源の高電圧側に接続される複数の高電圧側バスバ電極と、導電性材料により板状に形成され前記電源の低電圧側に接続される複数の低電圧側バスバ電極とを絶縁層を介して積層する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/48

FI (1件)：

H01L23/48 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

インバータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-153266 出願人：株式会社日立製作所
インバータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-189483 出願人：アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
特開昭55-113211

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