特許
J-GLOBAL ID：200903048813840187
MIS形電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259449
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196686
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 200°C以上の高温度でもゲート・ドレイン間の漏れ電流が小さくかつ制御特性曲線に大きな急勾配が得られるように、Siよりも大きなエネルギーギャップを有する半導体をベースとするMISFETを提供する。【構成】 Siよりも大きなエネルギーギャップを有する半導体2とゲート電極6との間にダイヤモンドから成る絶縁膜4が配置される。
請求項（抜粋）：
ゲート電極(6)とシリコン(Si)よりも大きなエネルギーギャップを有する半導体(2)との間にダイヤモンドから成る絶縁膜(4)を設けたことを特徴とするMIS形電界効果トランジスタ。
引用特許：
前のページに戻る
