電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193143
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320505
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】本課題は、電子線を被対象物上に照射した際生じるチャージアップ現象を低減して被対象物からの二次電子または反射電子等による物理的性質を現した高コントラストの信号を得て高速で微細な欠陥を高信頼性で検査できるようにした電子線式検査方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、電子線ビームの試料上の加速電圧、又は試料上の電界勾配、又はビーム電流、又はビーム径、又は画像検出周波数、又は画像寸法、又はプリチャージ、又はディスチャージ、又はそれらの組合せを制御し、電子線ビームを被対象物に対して照射し、被対象物から発生する物理的な変化をセンサで検出し、この検出された物理的な変化を示す信号から被対象物について検査または計測を行うことを特徴とする電子線式検査方法およびその装置である。

請求項（抜粋）：

電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電位勾配とを制御し、この制御された加速電圧で電子線ビームを被対象物に対して照射し、前記制御された電位勾配に応じて被対象物から発生する物理的な変化をセンサで検出し、この検出された物理的な変化を示す信号に基づいて被対象物について検査または計測を行うことを特徴とする電子線式検査方法。

IPC (5件)：

H01J 37/256 , H01J 37/20 , H01J 37/22 502 , H01J 37/28 , H01L 21/66

FI (7件)：

H01J 37/256 , H01J 37/20 G , H01J 37/22 502 A , H01J 37/28 Z , H01L 21/66 J , H01L 21/66 C , H01L 21/66 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭59-155941
特開昭61-294748
特開昭59-155941

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