レジストパターンの測定方法及びレジストパターンの測定装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244061
公開番号（公開出願番号）：特開平8-233555
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】モニターウエハを使用することなく重ね合わせずれ量測定を行なうことができる位置ずれ量の測定方法及び露光装置を提供する。【達成手段】マスクのマスターパターン内に形成された重ね合わせ測定パターンを半導体ウエハ上に選択的に転写露光し、現像を行うことなく、レジスト膜の露光領域における膜厚の変化で生じた重ね合わせ測定パターンの基準位置を2光束干渉法で検出し、予めウエハに形成されている重ね合わせ基準パターンの基準位置を白色光による干渉像を介して検出し、両者の重ね合わせずれ量を検出する。先行露光,現像工程を省略できるので、スループットが向上するとともにベースライン安定性やマスクアライメント再現性による重ね合わせ精度を劣化させる要因が可及的に解消され、重ね合わせ精度が向上する。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に形成されたレジスト膜に化学変化を生ぜしめる機能を有する光,放射線等の電磁波の線源を準備し、上記電磁波の透過領域と電磁波の遮蔽領域とからなる所定のパターンを有するマスクを介して、上記レジスト膜に電磁波を照射し、上記レジスト膜の露光を行なうステップと、上記露光後レジスト膜の現像を行なうことなく少なくとも1分間の間経過させて、上記レジスト膜の膜厚が変化した露光領域と膜厚が変化しない未露光領域とを混在させてなるレジストパターンを顕在化させるステップと、上記レジストパターンの露光領域表面と未露光領域表面とからの反射光を検知することによりレジストパターンの形状を測定するステップとを備えたことを特徴とするレジストパターンの測定方法。

IPC (3件)：

G01B 11/24 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01B 11/24 F , H01L 21/66 J , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-114529
特開平3-255613
微細パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-269120 出願人：松下電器産業株式会社, 和光純薬工業株式会社

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