特許

J-GLOBAL ID：200903048847105354

張り合わせSOIウェーハの製造方法

発明者： 冨澤 憲治 ,  小松 圭 ,  高松 勝
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306048
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127274
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 活性層用ウェーハの金属汚染を抑止し、その電気的特性を高めた張り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 エッチング後の活性層用ウェーハ10の片面にポリシリコン層11を成長させ、反対側のシリコン面を鏡面研磨する。活性層用ウェーハ10を熱酸化し、シリコン酸化膜12で覆う。また、鏡面仕上した支持基板用ウェーハ20を用意する。ウェーハ10、20のSC1洗浄後、ウェーハ10の酸化膜12にウェーハ20の鏡面を室温下で重ね合わせる。張り合わせシリコンウェーハ30を1100°C,2時間で熱処理する。ボイド検査後、良品ウェーハ30を面取りする。さらに、活性層用ウェーハ部分を研削・研磨し、薄肉化する。ゲッタリング層であるポリシリコン層11は張り合わせウェーハ30の表面から除去される。研磨面がデバイス形成面となる。熱処理時の金属不純物をゲッタリングし、ウェーハ表層部の金属汚染を抑制し、電気的特性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

活性層用ウェーハの片面にゲッタリング層を形成する工程と、 ゲッタリング層の形成後、活性層用ウェーハを熱酸化処理して、シリコン酸化膜により覆う工程と、この後、上記活性層用ウェーハのゲッタリング層とは反対側の面に支持基板用ウェーハを張り合わせる工程と、上記活性層用ウェーハのゲッタリング層を除去する工程とを備えた張り合わせSOIウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (8件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 M ,  H01L 21/322 R ,  H01L 21/322 E ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229155   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社