特許

J-GLOBAL ID：200903048858401222

シリコン単結晶およびその製造方法

発明者： 岩崎 俊夫 ,  芳賀 博世 ,  大久保 正道
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208374
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法により製造されるデバイス熱処理後の酸化膜耐電圧特性に代表されるデバイス特性に優れたシリコン結晶およびその製造方法に関する【構成】 上記目的を達成するために本発明においては、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法のうち、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、該徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度を850°C〜1200°Cの温度領域内にする。好ましくは、T±100°Cの温度領域での冷却速度を1.0°C/分以下とする。また、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性のAモード合格率が1ウェーハにつき3%未満であるような、酸化膜耐圧特性が優れたシリコン単結晶である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際して、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、該徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度が850°C〜1200°Cの温度領域内にあることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/00 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平3-067994
  
• 単結晶体の製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000340   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 単結晶体の製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000341   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 特公平3-067994