バンプ電極、及び該バンプ電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩根正敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196850
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030244
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】マザーボードに実装する際、両基板間隔を一定に保つことが可能で、且つ高密度なバンプ電極による接続が可能なセラミック多層配線基板上に形成する新規なバンプ電極を提供すること。【構成】セラミック多層配線基板1に形成されたバイア導体2の直上に、該バイア導体2と電気的接続が可能で、且つはんだより融点の高い金属で形成されたコア電極3を設け、該コア電極3の表面に、はんだ層4を設け、さらに必要に応じて前記はんだ層4の表面に、金メッキ層5を設けたバンプ電極とした。

請求項（抜粋）：

セラミック多層配線基板に形成されたバイア導体直上に、該バイア導体と電気的接続が可能で、且つはんだより融点の高い金属で形成されたコア電極を設け、該コア電極の表面に、はんだ層を設けたことを特徴とするバンプ電極。

IPC (5件)：

H05K 3/34 505 , H01L 21/60 311 , H05K 1/11 , H05K 3/24 , H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-032253
特開昭61-279138
特開昭60-068637

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