特許
J-GLOBAL ID:200903048928490325

液晶表示装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-205057
公開番号(公開出願番号):特開平10-048668
出願日: 1996年08月02日
公開日(公表日): 1998年02月20日
要約:
【要約】【課題】信頼性が高く、且つ高開口率で、表示品質の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、該スイッチング素子は該ゲート配線に接続されたゲート電極と、該ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する液晶表示装置において、該ゲート配線は、第1絶縁膜と該第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とによって覆われており、該ゲート配線上の該第1絶縁膜の厚さは、それ以外の領域の該第1絶縁膜の厚さよりも薄く、該ソース電極及び該画素電極は、該第2絶縁膜の上部に形成されている。
請求項(抜粋):
ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、該スイッチング素子は該ゲート配線に接続されたゲート電極と、該ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する液晶表示装置であって、該ゲート配線は、第1絶縁膜と該第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とによって覆われており、該ゲート配線上の該第1絶縁膜の厚さは、それ以外の領域の該第1絶縁膜の厚さよりも薄く、該ソース電極及び該画素電極は、該第2絶縁膜の上部に形成されている液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 617 S
引用特許:
審査官引用 (7件)
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