特許
J-GLOBAL ID：200903048931427162
半導体基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187886
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213337
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ランプアニール法に使用する保持台として、最適な材料を提供する。【構成】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれか1つあるいは2以上の混合物からなる保持台3を、その表面に赤外線の吸収膜5をコーティングするか、その内部に赤外線の吸収体を内在させる構造として、赤外線の吸収を大きくする。このような保持台表面を被処理半導体基板1表面に密着あるいは微少な空隙をもって対置させた状態で、ランプアニールを行う。
請求項（抜粋）：
被処理半導体基板の一主面に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれか1つあるいは2以上の混合物からなる部材を対置させて熱処理する半導体基板の熱処理方法において、前記部材が赤外線の吸収体を具備することを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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