特許
J-GLOBAL ID：200903048934449671
薄膜キャパシタ付き配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133114
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329897
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 少なくとも大容量と小容量の2種類以上の容量範囲の薄膜キャパシタを有する配線基板の製造方法において、陽極化成可能な金属膜のスパッタ工程は1回に抑え、且つ、陽極化成工程は、各容量範囲ごとに個別に行なうことで、互いの容量特性に悪影響を与えない薄膜キャパシタ付き配線基板の製造方法を提供する。【構成】 一基板上に少なくとも大容量と小容量の2種類以上の容量範囲の薄膜キャパシタを形成するにあたり、各容量範囲のキャパシタごとに適切な条件で順次別個に陽極化成していく。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極層を形成する工程と、該下部電極層上に陽極化成可能な金属膜を形成する工程と、該金属膜の少なくとも一部を陽極化成して誘電体層を形成する工程と、該誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を必須の工程として含み、且つ、少なくとも大容量と小容量の2種類以上の容量範囲の薄膜キャパシタを有する配線基板の製造方法において、該配線基板の製造工程における前記陽極化成可能な金属薄膜の形成の工程が1回であって、且つ、該金属膜の少なくとも一部を陽極化成して誘電体層を形成する工程を、少なくとも大容量と小容量の2種類以上の各容量範囲ごとに別個に行なうことを特徴とする薄膜キャパシタ付き配線基板の製造方法。
引用特許：
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