特許

J-GLOBAL ID：200903048953067461

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中山 貞夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079868
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275485
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置において、書込動作及び消去動作の特性を自動書込動作及び自動消去動作を用いて測定する。【解決手段】 電気的に書換可能な不揮発性メモリセルM111〜M1nmに対し、自動動作内の書込動作や消去動作及びそれぞれの判定動作を実施する際にメモリセルM111〜M1nmの各ノードに対し任意の電位を印加する電位制御回路VSCと、複数の電位を生成し選択する電位生成回路とを有している。

請求項（抜粋）：

電位供給部を有し、電気的に書換可能な不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、電位供給部は、前記メモリセルに自動書込動作を行う際に前記メモリセルのドレインに、半導体記憶装置内で生成された複数の電位を外部より入力される信号により選択して書込ドレイン電圧として供給するものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G01R 31/28 ,  G11C 29/00 673

FI (5件)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 29/00 673 M ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V ,  G11C 17/00 612 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電圧調整器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325654   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-318541   出願人：三菱電機株式会社