特許

J-GLOBAL ID：200903048955863621

化学気相成長装置および半導体装置の製造方法

発明者： 山向 幹雄 ,  川原 孝昭 ,  多留谷 政良 ,  堀川 剛 ,  松野 繁 ,  佐藤 剛彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156301
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349078
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 膜厚や組成比等の基板面内の均一性が向上するとともに、反応室内の異物発生が低減される化学気相成長装置を提供する。【解決手段】 反応室50内に、基板16を載置するための基板ステージ5が設けられている。また、原料ガス1を導入するための原料ガス導入口17が設けられている。原料ガスを排気するための排気口2a、2bが設けられている。排気口2a、2bに取付けられた排気口バルブ3a、4等が時間とともに順次開閉する。固定された基板16に対する原料ガス1の相対的な流れの方向が時間とともに変化する。

請求項（抜粋）：

反応室と、該反応室内に基板を保持するための固定されたステージ部と、前記反応室内に原料ガスを導入するための吹出し口と、反応後の原料ガスを前記反応室の外へ排気するための排気口とを備え、前記反応室内に導入された原料ガスの流れる方向を時間とともに変化させることにより、基板に対する原料ガスの相対的な流れの方向が時間とともに変化する、化学気相成長装置。

IPC (8件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (41件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030EA04 ,  4K030EA08 ,  4K030EA11 ,  4K030GA01 ,  4K030KA11 ,  4K030KA12 ,  4K030LA00 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F045AB40 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC07 ,  5F045EF14 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21