特許
J-GLOBAL ID：200903048983182290

スパッタリングターゲットならびに半導体素子及びそれらの製造方法

発明者：
永田 長寿

永田 長寿 について

, 
西野 勇

西野 勇 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060633
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：
【要約】【課題】 純度99.9999重量%以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。【解決手段】 ガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で450 ゚C未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが2μm以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を6倍以上、厚さと長さの比を2.5倍以上にする。
請求項（抜粋）：
銅からなるスパッタリングターゲットであって、酸素(O)、窒素(N)、及び炭素(C)と水素(H)のガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4件)：
C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM