多値記憶不揮発性半導体メモリ及びそのカラム選択回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331267
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180472
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 NAND形のメモリ構造に容易に適用し得る多値記憶構成を提供する。【解決手段】ビットラインに定電流を流すための電流提供用トランジスタT1-13と、外部とのデータ交換のために異なる入出力ラインI/Oと接続されると共に二つのビットラインごとに続され、データ読出時のセンシング動作を遂行する第1、第2ラッチQ1,Q2のラッチ部と、読出動作で提供されるイネーブル信号φV2,φR1に応答し、前記ラッチ部のラッチ状態をビットラインのレベルに従って反転又は維持させるラッチ制御用トランジスタT1-17〜23と、ビットラインに共通接続され、読出動作直前に前記ラッチ部を初期化しまたビットラインを所定の電圧レベルにする初期化用トランジスタT1-15と、プログラム動作で前記ラッチ部にラッチされたプログラムデータを選択ビットラインへ伝達するためのプログラムデータ伝達用トランジスタT1-14,16と、を備える。

請求項（抜粋）：

ビットラインに接続された多数のストリングを有し、その各ストリングは、ビットラインに接続する第1選択トランジスタと共通ソースラインに接続する第2選択トランジスタとの間に多数のフローティングゲート形のメモリセルを直列接続してなり、その各メモリセルのしきい値電圧調整より多値記憶するようにされたメモリセルアレイをもつ不揮発性半導体メモリにおいて、第1、第2選択トランジスタのゲート及びワードラインに接続し、各動作モードで一つの同一群に属するストリング及び少なくとも一つのワードラインを選択し、そして、その選択ワードラインに接続のメモリセルのコントロールゲートに各動作モード対応電圧を、多値記憶のプログラム及び読出が提供されるように可変的に印加するためのローデコーダと、メモリセルに多値の一つをプログラムし、そのプログラムされたデータを読み出し、メモリセルを消去し、そして各動作の検証を実施するために、各動作モードで一つの同一群に属するストリングと他の一つの同一群に属するストリングの選択メモリセルが交互にアクセスされるようにするため、二つのビットラインごとに設けられ、ビットライン選択信号に応じて一つの同一群に属するビットラインを同時に選択し、他の一つの同一群に属する非選択ビットラインを伝送トランジスタを介してプログラム防止用の所定電圧で充電するビットライン選択及び充電手段と、ビットラインに共通接続されて選択ビットラインに定電流を提供する定電流供給手段と、前記ビットライン選択及び充電手段にそれぞれ接続され、プログラム動作で対応ビットラインを介してデータを一括的に書込むためにプログラムデータを一時貯蔵し、読出動作で選択メモリセルから感知された読出データをラッチするためのラッチ手段と、読出動作で提供されるイネーブル信号に応答し、前記ラッチ手段のラッチ状態を選択ビットラインのレベルに従って反転又は維持させるラッチ制御手段と、ビットラインに共通接続され、読出動作直前に前記ラッチ手段を初期化し、ビットラインを所定の電圧レベルにする初期化手段と、プログラム動作で前記ラッチ手段にラッチされたプログラムデータを選択ビットラインへ伝達するためのプログラムデータ伝達手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-234767 出願人：株式会社東芝
特開昭64-005072
特開平3-108750

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