特許

J-GLOBAL ID：200903048994083609

洗浄処理方法

発明者： 田中 裕司 ,  下村 伸一郎 ,  上川 裕二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051544
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233478
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 洗浄液中に混入するパーティクル等の汚染微粒子を正確に測定し、そのデータに基づいて洗浄処理を行うことにより、洗浄性能の向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】 半導体ウエハWを浸漬処理する洗浄液Lを貯留する洗浄槽20内の洗浄液Lをオーバーフローさせると共に、循環供給させ、かつ循環供給の際に濾過して、ウエハWを洗浄する洗浄処理方法において、循環供給部とは別の箇所から洗浄槽20内の洗浄液Lを電動式ベローズポンプ30によって定量取り出して、洗浄液L中に混入するパーティクルをパーティクルカウンタ50にて検出する。検出されたパーティクル数に基づいて洗浄処理、洗浄液の交換あるいは異常状態のアラーム表示等を行う。

請求項（抜粋）：

被処理体を浸漬処理する洗浄液を貯留する洗浄槽内の洗浄液をオーバーフローさせると共に、循環供給させ、かつ循環供給の際に濾過して、上記被処理体を洗浄する洗浄処理方法において、少なくとも洗浄処理前又は洗浄処理中に、上記循環供給部とは別の箇所から上記洗浄槽内の洗浄液の所定量を取り出すと共に、その洗浄液中に混入する汚染微粒子の量を検出し、検出された汚染微粒子の量によって所定量内又は所定量以上の検知信号を発するようにした、ことを特徴とする洗浄処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 642 ,  B08B 3/04

FI (4件)：

H01L 21/304 648 F ,  H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 642 A ,  B08B 3/04 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-116532   出願人：三菱電機株式会社, 三菱化学株式会社