半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067530
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326609
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム又はそれを主成分とする合金膜の配線形成において、腐蝕を防止でき、反応生成物の堆積膜が容易に除去でき、歩留まりや信頼性が高く製造コストの削減も可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に絶縁膜2を形成し、アルミニウム合金膜(Al膜)3を堆積する。この上に所定パターンのフォトレジスト膜からなるマスク4を形成し、Al膜3をCl2 とBCl3 との混合ガスでプラズマエッチングする。この際、パターンの側壁にAlCl3 を主成分とする反応生成物の堆積膜5が堆積する。Al膜3の腐蝕を防止するためにCF4 とH2 の混合ガスでプラズマ放電し、反応生成物の堆積膜5が塩化物から弗化物に置換される。次に、流水で洗浄して反応生成物の堆積膜5を溶解させ除去し、フォトレジスト膜からなるマスク4を除去し、パターン化されたAl膜3からなる配線が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜が形成され、更にその上にアルミニウム膜またはアルミニウムを主成分とする合金膜が形成されてなる積層物の前記アルミニウム膜またはアルミニウムを主成分とする合金膜上に所定のパターンのマスクを形成し、前記マスクが形成されていない部分のアルミニウム膜またはアルミニウムを主成分とする合金膜をプラズマで塩素化および/または臭素化することによりエッチングして除去し、次に堆積性が低くて酸化性が低く且つ塩化物および/または臭化物を弗化物に置換し得るガスプラズマに曝し、水洗した後、前記マスクを除去することからなる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 G , H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-148122
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-200770 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-082218

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