特許
J-GLOBAL ID：200903049022771935

電子部品搭載用窒化ケイ素質基板及びその製造方法

発明者：
田中 広一

田中 広一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100276
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】電子部品を搭載するための基板、特に金属部材と接合された構造を有する基板において高熱伝導性と高強度を有するとともに熱サイクル試験において優れた耐久性を具備し得る電子部品搭載用窒化ケイ素質基板とその製造方法を提供する。【解決手段】窒化ケイ素を主成分とし、周期律表第3a族元素を酸化物換算で2〜10モル%の割合で含み、且つアルミニウムの含有量が酸化物換算で0〜0.5重量%であり、窒化ケイ素結晶の平均粒径が2μm以上、平均アスペクト比が15以下、任意の300μm×300μmの領域に長軸長さ20μm以上の窒化ケイ素結晶が5個以上存在し、破壊靱性が6MPa・m1/2 以上、熱伝導率が60W/m・K以上の焼結体を電子部品搭載用窒化ケイ素質基板として用いる。
請求項（抜粋）：
窒化ケイ素を主成分とし、周期律表第3a族元素を酸化物換算で2〜10モル%の割合で含み、且つアルミニウムの含有量が酸化物換算で0〜0.5重量%であり、前記窒化ケイ素結晶の平均粒径が2μm以上、平均アスペクト比が15以下、任意の300μm×300μmの領域に長軸長さ20μm以上の窒化ケイ素結晶が5個以上存在し、破壊靱性が6MPa・m1/2 以上、熱伝導率が60W/m・K以上であることを特徴とする電子部品搭載用窒化ケイ素質基板。
IPC (2件)：
C04B 35/584 ,  H05K 1/03 610
FI (2件)：
C04B 35/58 102 D ,  H05K 1/03 610 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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