特許

J-GLOBAL ID：200903049035659662

化学的機械的研磨用スラリー

発明者： 土屋 泰章 ,  和氣 智子 ,  板倉 哲之 ,  櫻井 伸 ,  青柳 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  東京磁気印刷株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357798
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164310
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 基板上の凹部を有する絶縁膜上に形成された銅系金属膜の化学的機械的研磨において、ディッシングの発生を抑制し、且つ高い研磨速度での研磨を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。【解決手段】 研磨材、酸化剤および水を含有する化学的機械的研磨用スラリーに、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアゾール系化合物を含有させる。

請求項（抜粋）：

基板上の凹部を有する絶縁膜上に形成された銅系金属膜を研磨するための化学的機械的研磨用スラリーであって、研磨材、酸化剤および水、並びにベンゾトリアゾール系化合物およびトリアゾール系化合物を含有することを特徴とする化学的機械的研磨用スラリー。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 M

Fターム (10件)：

3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA22 ,  5F043AA27 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317233   出願人：株式会社日立製作所
• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322449   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学的機械研磨方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-543299   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317233   出願人：株式会社日立製作所
• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322449   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学的機械研磨方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-543299   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション