結晶性SiC膜の製造方法、結晶性SiC膜及び太陽電池

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388149
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188400
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】導電率を損なうことなく広バンドギャップである結晶性SiC膜の製造方法及び結晶性SiC膜、並びにp型結晶性SiC膜を有する太陽電池を提供する。【解決手段】薄膜シリコン系太陽電池の発電部に用いられる結晶性SiC膜を製造する方法であって、基板を放電電極と向き合わせて容器内に収容し、容器内を真空排気し、有機シラン、希釈ガスおよびドーパント含有ガスを少なくとも含みC/Si供給比を1.5〜3.0の範囲とする原料ガスを真空排気された容器内に導入し、放電電極に周波数60〜200MHzの高周波電力を印加して該放電電極と基板との間にプラズマを生成させ、該プラズマ中のラジカルを基板の表面で反応させて、微結晶SiCと非晶質SiCとが混在する結晶性のSiC膜を基板上に堆積させる。

請求項（抜粋）：

結晶性SiC膜を製造する方法であって、(a)基板を放電電極と向き合わせて容器内に収容し、該容器内を真空排気し、(b)有機シラン、希釈ガスおよびドーパント含有ガスを少なくとも含みC/Si供給比を1.5〜3.0の範囲とする原料ガスを前記真空排気された容器内に導入し、(c)前記放電電極に周波数60〜200MHzの高周波電力を印加して該放電電極と基板との間にプラズマを生成させ、該プラズマ中のラジカルを基板の表面で反応させて、結晶性のSiCを含有する膜を基板上に堆積させることを特徴とする結晶性SiC膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , C23C 16/42 , C23C 16/505 , C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (7件)：

C23C 16/42 , C23C 16/505 , C30B 29/36 A , H01L 21/205 , H01L 31/04 V , H01L 31/04 B , H01L 31/04 W

Fターム (50件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB09 , 4G077DB18 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077TB01 , 4G077TC02 , 4G077TC03 , 4G077TC06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA20 , 4K030BA37 , 4K030BB04 , 4K030BB05 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC16 , 5F045AC19 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AE01 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045DP05 , 5F045DQ10 , 5F045EH14 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA09 , 5F051CA16 , 5F051CA37 , 5F051CA40 , 5F051DA04 , 5F051DA15

引用特許：

審査官引用 (13件)

光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107044 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-082655
非晶質太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145523 出願人：シャープ株式会社

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