特許

J-GLOBAL ID：200903049050287526

ポリッシングの終点検知方法

発明者： 大田 真朗 ,  清水 一男
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149023
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347259
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハなどの被研磨物の膜厚を正確に測定してポリッシングの終点を正確に検知し、高品質の研磨を実現することができるポリッシングの終点検知方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハWを回転させながら研磨面10に押圧して半導体ウェハWを研磨するポリッシングにおける研磨終点の検知方法であって、半導体ウェハWの中心部に所定の面積を占めるダイ1を配置し、ダイ1の膜厚又は膜厚の変化を測定することにより、ダイ1の周囲に位置するパターン部2の研磨終点を検知する。

請求項（抜粋）：

被研磨物を回転させながら研磨面に押圧して該被研磨物を研磨するポリッシングにおける研磨終点の検知方法であって、前記被研磨物の中心部に所定の面積を占めるダイを配置し、前記ダイの膜厚又は膜厚の変化を測定することにより、前記ダイの周囲に位置する被研磨部分の研磨終点を検知することを特徴とするポリッシングの終点検知方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/10

FI (4件)：

H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 622 T ,  B24B 37/04 K ,  B24B 49/10

Fターム (16件)：

3C034AA19 ,  3C034BB91 ,  3C034CB01 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AB00 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058BA14 ,  3C058BB02 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 膜厚検査方法および膜厚検査機能付き研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-270909   出願人：株式会社ニコン
• 半導体基板表面研磨方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083818   出願人：株式会社東芝