エッチング装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：金本哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166866
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335568
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】微細なエッチングを高速に実施するために処理室内の真空度を高くしても、ガスの排気を損ねることなくプラズマを電極間に効率よく閉じこめ、かつ均一な処理を可能にする。【構成】上部電極41の周辺に石英のシールドリング42を設け、ウエハWを載置するサセプタ6の周辺には、シリコンの内側フォーカスリング21と石英の外側フォーカスリング22を設ける。シールドリング42の突出部43と外側フォーカスリング22との間を、電極間ギャップよりも狭くし、突出部43は外側フォーカスリング22の上方に位置させる。突出部43と外側フォーカスリング22によってプラズマの拡散が防止される。内側フォーカスリング21を介しているので、ウエハWの周辺部のプラズマ密度が不当に高くならない。突出部43の厚さは薄いので、ガスコンダクタンスは良好である。

請求項（抜粋）：

減圧自在な処理室内に上部電極と下部電極を対向して有し、高周波電力の供給によって前記上部電極と下部電極との間にプラズマを発生させ、前記下部電極上の被処理基板をエッチングする如く構成されたエッチング装置において、上部電極及び下部電極の双方に高周波電力が供給され、上部電極の周辺には上側絶縁体が設けられ、下部電極の周辺には、シリコンからなる第1の環状体と、この第1の環状体の外周に位置する絶縁体からなる第2の環状体が配置され、上側絶縁体における内周寄り部分と第2の環状体との間の最も狭い間隔が、前記上部電極と下部電極との間の間隔よりも狭く設定され、上側絶縁体の内周縁が、第2の環状体の内周縁と外周縁との間に応対する位置に設定されたことを特徴とする、エッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

ドライエツチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302581 出願人：日電アネルバ株式会社
特開平3-291928
特開昭62-069620

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