特許
J-GLOBAL ID:200903049141605199

半導体装置の製造装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村山 光威
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-131225
公開番号(公開出願番号):特開2006-310536
出願日: 2005年04月28日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【課題】半導体素子をフリップ実装する回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる半導体装置の製造装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置の製造装置であって、半導体素子をフリップ実装する回路実装基板1の配線電極2上に凹部10を形成する加工手段と、前記凹部に導電性接着剤を塗布する塗布手段を含むことにより、回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体装置の製造装置であって、半導体素子をフリップ実装する回路実装基板の配線電極上に凹部を形成する加工手段と、前記凹部に導電性接着剤を塗布する塗布手段を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 311S
Fターム (3件):
5F044KK11 ,  5F044LL07 ,  5F044RR18
引用特許:
出願人引用 (1件)

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