特許

J-GLOBAL ID：200903049144056714

化合物半導体膜の形成方法

発明者： 中澤 崇一 ,  池上 隆俊
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032367
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214344
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。【解決手段】 本発明は、基板2をサセプタ1の上面に設置して加熱しながらこの基板2上に化合物半導体膜4を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部3を設け、この凹部3は、前記基板2の下方へ凸の反りに対応して基板2の中心が前記サセプタ3に常に非接触で、基板2の外周部が前記サセプタ1に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板をサセプタの上面に設置して加熱しながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部を設け、この凹部は、前記基板の下方へ凸の反りに対応して基板の中心が前記サセプタに常に非接触で、基板の外周部が前記サセプタに常に接触する深さと広さを有することを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/683

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N

Fターム (27件)：

4K030AA01 ,  4K030AA13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030GA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA01 ,  4K030LA12 ,  5F031CA01 ,  5F031CA04 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA07 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045CA10 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045EM06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205040   出願人：京セラ株式会社