特許

J-GLOBAL ID：200903049162420954

薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： 和田 隆博 ,  西谷 幹彦 ,  小原 直樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235828
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082992
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】光電変換の光吸収層がCu(In1-XGaX)(Se1-YSY)2である特定のカルコパイライト型の結晶構造とすることにより、従来技術に比較して高品質を保持したままバンドギャップを制御でき、変換効率の高い薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】Cu(In1-XGaX)(Se1-YSY)2であり、前記化学式のX及びYが0.317+0.176Y≧X≧0.117+0.176Y、1>X+Y>0、Y>0、の範囲にあり、かつカルコパイライト型の結晶構造を持ち、a軸とc軸の格子定数の比が2にきわめて近いCu(In1-XGaX)(Se1-YSY)2 系固溶体を、光吸収層に用いる。最も望ましいのは単接合太陽電池で最も高い変換効率が期待できるバンドギャップ1.4eVの場合であり、X=0.3、Y=0.4の場合である。

請求項（抜粋）：

光電変換の光吸収層がCu(In1-XGaX)(Se1-YSY)2であり、かつ前記化学式のX及びYが下記式(数1)の範囲にある薄膜太陽電池。【数1】

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-280417
  
• 特開平4-326525
  
• カルコパイライト型化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132754   出願人：松下電器産業株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-168694   出願人：松下電器産業株式会社