特許
J-GLOBAL ID：200903049183359694

位相シフトマスク

発明者：
丸茂 俊幸

丸茂 俊幸 について

, 
大瀧 雅央

大瀧 雅央 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324230
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181666
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【構成】透明基板の片面に、遮光性パターン膜もしくは半透明性パターン膜と、位相シフター層パターンとを有するか、または位相シフター層を兼ねる半遮光性パターン膜を、少なくとも有する位相シフトマスクにおいて、透明基板と前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層が介在することを特徴とする位相シフトマスク。【効果】本発明の位相シフトマスクは、エッチング停止層に薄膜ダイヤモンドを採用したので、ドライエッチング耐性が特に強く、位相シフター層を確実にエッチングできるとともに、自立的にエッチングを停止することができるのであり、高品質の位相シフトマスクとなる。また、薄膜ダイヤモンドは、化学的に安定で、耐湿性に優れるので、本発明の位相シフトマスクは、環境による劣化が少なく、長寿命なものとなる。
請求項（抜粋）：
透明基板の片面に、遮光性パターン膜もしくは半透明性パターン膜と、位相シフター層パターンとを有するか、または位相シフター層を兼ねる半遮光性パターン膜を、少なくとも有する位相シフトマスクにおいて、透明基板と前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層が介在することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 E
引用特許：
審査官引用 (2件)

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