特許
J-GLOBAL ID：200903049195627864
利得制御回路および可変利得電力増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-093048
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 システム簡略化の要求を満たすことができる利得制御回路、およびこの利得制御回路が利用された可変利得高周波電力増幅器を提供しようとするものである。【解決手段】 ドレインを、入力端子1および出力端子7をそれぞれ有し、利得が制御される高周波電力増幅回路100に接続し、ソースを給電端子25に接続し、ゲートを利得制御端子16に接続するデプレッション型MESFET21と、このMESFET21のソース〜ドレイン間に並列に接続され、MESFET21のドレインとソースとの間に正の電位を印加する高抵抗素子22とを具備し、利得の制御を正電位の信号で行うことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
電流通路の一端が、利得が制御される被利得制御回路に接続され、電流通路の他端が給電端子に接続され、ゲートが利得制御端子に接続された利得制御用金属/化合物半導体接合型電界効果トランジスタと、前記利得制御用金属/化合物半導体接合型電界効果トランジスタの電流通路に並列に接続され、前記利得制御用金属/化合物半導体接合型電界効果トランジスタの電流通路の一端と他端との間に正の電位を印加する手段とを具備することを特徴とする利得制御回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開平4-361412
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半導体集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-175820
出願人：松下電子工業株式会社
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