特許

J-GLOBAL ID：200903049206259897

半導体装置

発明者： 山崎 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249660
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104259
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】ポリサイド配線中の不純物拡散速度が極めて速いことがもたらすトランジスタ特性悪化を対策する配線構造を提供する。【構成】不純物を含むポリサイド配線において配線の一部に少なくともシリサイド層が形成されていない領域を有し、該領域でP型ポリサイド配線とN型ポリサイド配線が接続されている。また前記シリサイド層のない領域を含みP型およびN型ポリサイド配線上に自己整合的に設けられた膜中の不純物拡散速度が前記シリサイド層より小さい膜を有する。【効果】本構造によりポリサイド配線中を不純物が拡散しトランジスタ特性が悪化するのを防止し、また配線抵抗増加を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

不純物を含むポリシリコン層上にシリサイド層を有するポリサイド配線において、配線の一部に少なくともシリサイド層が形成されていない領域を有し、該領域でP型ポリサイド配線とN型ポリサイド配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-203366
  
• 特開平3-169022
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-279875   出願人：松下電器産業株式会社