感光性ポリイミドを用いた貫通電極形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-042756
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243396
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】集積回路チップを3個以上積み重ねて、回路基板に直接搭載するために用いることを目的として、集積回路チップ内に設けられる、チップの表から裏面に貫通した電極について、その形成方法を提案する。【解決手段】本発明では、半導体薄化基板からなる導電性の基板を用いて、その部材にエッチング加工により設けられた穴に対して、感光性ポリイミド絶縁膜を回転塗布により堆積させ、その後、最初の穴より小さい径の穴パターンを露光、現像により形成し、さらに、金属材料で貫通穴を埋め込み、基板裏面を研削して、金属を露出させて、貫通電極とするものである。本発明の貫通電極構造は、グランド電位の基板に設けられた貫通穴の側面にポリイミド絶縁層が形成され、穴の中心に金属材料が埋め込まれた構造となる。これにより、同軸線路構造となるため、穴側面のポリイミド絶縁層の厚さを独立して制御することにより、広い範囲の特性インピーダンスを実現することが可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン、ガリウムヒ素、インジウム燐などの半導体薄化基板について、微小径の深い穴を形成し、その後、感光性ポリイミドを塗布した後、紫外線、X線、電子ビーム、イオンビームなどを用いて露光を行い、現像を行った後、穴にアルミニウム、銅、金、銀、パラジウム、チタン、ニオブなどの金属をメッキ法により充填し、その後、裏面を研削し、金属を露出させることにより、貫通電極を形成することを特徴とした貫通電極形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , G03F 7/027 514 , G03F 7/037 501 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (4件)：

G03F 7/027 514 , G03F 7/037 501 , H01L 21/88 J , H01L 25/08 Z

Fターム (34件)：

2H025AA19 , 2H025AA20 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025BC69 , 2H025CB25 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033MM30 , 5F033PP12 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ47 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS21 , 5F033TT07 , 5F033XX03

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-196777 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-196777 出願人：富士通株式会社

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