特許

J-GLOBAL ID：200903049219201367

有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：目次誠 , 宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024212
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210845
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】複数の発光ユニットを積層した有機EL素子の発光効率改善。【解決手段】陰極と陽極の間に複数の発光ユニットと、前記発光ユニットの間に中間ユニットを備え、前記中間ユニットが、陽極側の電子輸送層と陰極側の電子引き抜き層とを有し、前記電子引き抜き層の最低空分子軌道のエネルギーレベルの絶対値|LUMO(A)|と、前記隣接層の最高被占分子軌道のエネルギーレベルの絶対値|HOMO(B)|が、|HOMO(B)|-|LUMO(A)|≦2.0eVの関係にあり、前記中間ユニットが、電子の引き抜きにより発生したホールを陰極側の発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を陽極側の発光ユニットに供給する有機EL素子であって、最低空分子軌道のエネルギーレベルの絶対値|LUMO(C)|が、|HOMO(B)|>|LUMO(C)|>|LUMO(A)|の電子引き抜き促進材料が、前記電子引き抜き層にドープされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

陰極と、陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される複数の発光ユニットと、前記発光ユニットの間に配置される中間ユニットとを備え、前記中間ユニットが、陽極側に設けられる電子輸送層と、陰極側に設けられる電子引き抜き層とを有し、前記電子引き抜き層は、前記電子引き抜き層の陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜くための層であり、前記電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値|LUMO(A)|と、前記隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値|HOMO(B)|が、|HOMO(B)|-|LUMO(A)|≦2.0eVの関係にあり、前記中間ユニットが、前記電子引き抜き層による前記隣接層からの電子の引き抜きにより発生したホールを陰極側の発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を前記電子輸送層を介して陽極側の発光ユニットに供給する有機エレクトロルミネッセント素子であって、最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値|LUMO(C)|が、|HOMO(B)|>|LUMO(C)|>|LUMO(A)|の関係にある電子引き抜き促進材料が、前記電子引き抜き層にドープされていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。

IPC (4件)：

H01L 51/50 , C09K 11/06 , H05B 33/04 , H05B 33/12

FI (7件)：

H05B33/22 D , H05B33/22 B , C09K11/06 620 , H05B33/04 , H05B33/12 C , H05B33/12 E , H05B33/14 A

Fターム (8件)：

3K007AB03 , 3K007AB04 , 3K007BA06 , 3K007BB01 , 3K007BB06 , 3K007DA06 , 3K007DB03 , 3K007FA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

有機エレクトロルミネッセント素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-070135 出願人：城戸淳二, 株式会社アイメス
有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-352488 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機EL発光素子およびそれを用いた発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138326 出願人：出光興産株式会社

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