特許
J-GLOBAL ID:200903049219860697
シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-115597
公開番号(公開出願番号):特開2002-311594
出願日: 2001年04月13日
公開日(公表日): 2002年10月23日
要約:
【要約】【課題】 シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物において、ドライエッチング耐性、膜厚均一性に優れた下層レジスト組成物を提供する。【解決手段】(a)フェノール系ポリマー、(b)100°C以上の温度でスルホン酸を発生する化合物、(c)2個以上のベンゼン環を有し、酸の作用により上記ポリマーと架橋しうるフェノール系酸架橋剤及び(d)溶剤を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(a)フェノール系ポリマー、(b)100°C以上の温度でスルホン酸を発生する化合物、(c)2個以上のベンゼン環を有し、酸の作用により上記ポリマーと架橋しうるフェノール系酸架橋剤及び(d)溶剤を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物。
IPC (7件):
G03F 7/11 503
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, C08L 61/10
, G03F 7/075 511
, G03F 7/26 511
, H01L 21/027
FI (7件):
G03F 7/11 503
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, C08L 61/10
, G03F 7/075 511
, G03F 7/26 511
, H01L 21/30 502 R
Fターム (46件):
2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025DA27
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 2H096AA00
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096CA05
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096KA02
, 2H096KA06
, 2H096KA19
, 4J002BC121
, 4J002CC041
, 4J002EB116
, 4J002EE038
, 4J002EH038
, 4J002EH158
, 4J002EJ017
, 4J002EJ037
, 4J002EJ047
, 4J002EL068
, 4J002EL108
, 4J002EV077
, 4J002EV246
, 4J002FD147
, 4J002GP03
引用特許:
審査官引用 (3件)
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二層技術のためのボトムレジスト
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-124499
出願人:インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
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画像形成材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-066733
出願人:富士写真フイルム株式会社
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ネガ型レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-227792
出願人:富士写真フイルム株式会社
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