特許
J-GLOBAL ID:200903049219860697

シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-115597
公開番号(公開出願番号):特開2002-311594
出願日: 2001年04月13日
公開日(公表日): 2002年10月23日
要約:
【要約】【課題】 シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物において、ドライエッチング耐性、膜厚均一性に優れた下層レジスト組成物を提供する。【解決手段】(a)フェノール系ポリマー、(b)100°C以上の温度でスルホン酸を発生する化合物、(c)2個以上のベンゼン環を有し、酸の作用により上記ポリマーと架橋しうるフェノール系酸架橋剤及び(d)溶剤を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(a)フェノール系ポリマー、(b)100°C以上の温度でスルホン酸を発生する化合物、(c)2個以上のベンゼン環を有し、酸の作用により上記ポリマーと架橋しうるフェノール系酸架橋剤及び(d)溶剤を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物。
IPC (7件):
G03F 7/11 503 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  C08L 61/10 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027
FI (7件):
G03F 7/11 503 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  C08L 61/10 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (46件):
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025DA27 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA06 ,  2H096KA19 ,  4J002BC121 ,  4J002CC041 ,  4J002EB116 ,  4J002EE038 ,  4J002EH038 ,  4J002EH158 ,  4J002EJ017 ,  4J002EJ037 ,  4J002EJ047 ,  4J002EL068 ,  4J002EL108 ,  4J002EV077 ,  4J002EV246 ,  4J002FD147 ,  4J002GP03
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 二層技術のためのボトムレジスト
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-124499   出願人:インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
  • 画像形成材料
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-066733   出願人:富士写真フイルム株式会社
  • ネガ型レジスト組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-227792   出願人:富士写真フイルム株式会社

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