特許
J-GLOBAL ID：200903029081951687
二層技術のためのボトムレジスト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-124499
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321776
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 一面で化学的に強化されたフォトレジストと相容性であるようにするために適合した表面酸度を使用し、他面、その下方に存在する基板、例えばシリコンのパターン化に使用されるようなハロゲンプラズマ中での高い安定度を有する、二層技術のためのボトムレジストを提供する。【解決手段】 二層技術のためのボトムレジストの場合に、フェノール系基礎重合体、100°Cの温度を上廻ってスルホン酸を遊離する熱活性化合物、溶剤を含有する。
請求項（抜粋）：
二層技術のためのボトムレジストにおいて、- フェノール系基礎重合体、- 100°Cの温度を上廻ってスルホン酸を遊離する熱活性化合物、- 溶剤を含有することを特徴とする、二層技術のためのボトムレジスト。
IPC (5件)：
G03F 7/095
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/028
, H01L 21/027
G03F 7/095
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 Z
, G03F 7/028
, H01L 21/30 502 R
